错位双金棒手征超表面

全斯托克斯探测

该超表面通过激发不同自旋的电场环,在无需滤光片的情况下实现高消光比的圆偏振与线偏振探测,集成于全斯托克斯偏振探测器。

程博 · Zou, Yuxiao · 宋国峰

Optics and Laser Technology 2024

具体参数

全斯托克斯像素
1550 nm

技术优势

圆偏振探测器消光比 21:1

线偏振器件线性二向色性 0.85

线偏振器件消光比 80:1