1T'/2H-MoS₂异相结正极

层间距扩至0.80 nm

通过钾辅助相工程稳定亚稳1T'相，构建金属/半导体异相结，同时提升导电性、亲水性和层间距，实现Zn²⁺的高效可逆存储。

李巍 · 李学宝 · Ruxuan, Chen · Wang, Zilei · Cong, Chao

Nanoscale 2025

参数信息

比容量

150 mAh g⁻¹

比容量

120 mAh g⁻¹

容量保持率

86.4 %

层间距

0.80 nm

技术优势

层间距扩大到0.80 nm

通过掺钾稳定1T'相，层间距从0.62 nm增大到0.80 nm，为Zn²⁺提供了更宽的扩散通道。

导电性和亲水性同时提升

金属性1T'相与2H相形成的异相结提高了电子导电性，改善了电极与电解液的浸润性。

容量保持率高达86.4%

在1 A g⁻¹下循环2000次后仍保持86.4%的容量，表明结构在反复的Zn²⁺插入/脱出中足够稳定。

应用场景

• 水系锌离子电池正极：替换传统2H相MoS₂正极，提升倍率和循环寿命。
• 二维过渡金属硫属化合物：通过相工程拓宽层间距，作为高倍率Zn²⁺存储平台。
• 相工程电催化：利用金属/半导体异相结增强电子传输和吸附活性。