漏磁场增强
利用磁导率微扰改变局部磁阻,形成附加漏磁场,无需改变传感器或待测件结构。
Wang, Rongbiao · 唐剑 · Haozhi, Yu · 冯搏 · Yihua, Kang · 宋凯
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 2024
铁磁介质在漏磁场作用下产生磁导率微扰,改变局部磁阻,形成附加漏磁场,从而增强总漏磁场。
增强后的漏磁场使得磁传感器感应到的信号更强,从而提高检测灵敏度。
该方法仅更换介质材料,无需改动传感器或待测工件的结构。