不饱和键TaC前驱体

分子级均混

通过C=C交联活性中心构建致密网络，同时键合Ta源与C源，解决了传统前驱体交联位点不足和分子级混合不均的问题。

Chuhan, Sun · Honghai, Pan · 周新贵 · 余金山 · 王红磊

Journal of Advanced Ceramics 2025

参数信息

平均粒径

140 nm

氧含量

0.40 wt%

C源添加比 m(AN):m(TaCl5)

0.6

热解温度

1400 °C

技术优势

分子级均混

C=C键在共聚过程中作为交联活性中心，使Ta源与C源在分子水平上键合，避免了组分偏析。

纳米级粉体

优化的热解条件（1400 °C, 2 h）得到平均粒径仅140 nm的TaC粉体，远小于传统碳热还原产物。

低氧含量

前驱体分子级混合减少氧引入，最终粉体氧含量仅0.40 wt%，有利于高温性能。

应用场景

• 航空航天热防护：提供纳米TaC粉体用于超高温热防护涂层与烧蚀材料。
• 超高温陶瓷：前驱体可低温制备高纯TaC，突破传统碳热还原的高温限制。
• 高超声速飞行器：TaC陶瓷耐高温烧蚀，有望用于飞行器鼻锥和翼前缘。
• 陶瓷粉体合成：提供一条分子级均混的聚合物前驱体路线，可替代固相合成。