近红外高灵敏低暗电流
该探测器通过Sn合金化将响应扩展到近红外,同时大幅抑制暗电流,实现宽带高探测率,用于成像和光电容积脉搏波检测。
李欢 · Yu, Gao · Xin, Hong · Ke, Kanghui · Zilong, Ye · 张思纬 · Kefei, Shi · Zhuo, Peng · Yan, Hao · Tang, Man-chung · 姚有为 · Ben Zhong, Tang · 韦国丹 · Feiyu, Kang
InfoMat 2024
通过Sn²⁺部分取代Pb²⁺,薄膜吸收光谱从800 nm拓宽至1000 nm,器件EQE在300–1000 nm范围超过80%,说明近红外光子也能被有效利用。
混合组分器件的暗电流比纯Pb或纯Sn器件低四个数量级,归因于内建电势显著增大和陷阱密度降低,使弱光信号下噪声更小。
器件为自供电结构,无需外加偏压即可工作,简化了系统集成并降低功耗。
探测器上升和下降时间分别为61 μs和30 μs,-3 dB带宽达2.23×10⁴ Hz,适合动态信号检测。