非对称双栅氧化物TFT

宽数据电压范围

通过两种栅电容产生两个亚阈值摆幅，在保证快速开关的同时显著扩大像素编程电压范围，为全氧化物AMOLED提供高精度方案。

Liao, Congwei

IEEE Electron Device Letters 2025

参数信息

栅电容分别

9.9 nF/cm²

技术优势

两种单栅驱动模式下亚阈值摆幅分别为382.6和213.6 mV/dec