Au-Pt共溅神经接口

11.7T MRI近零伪影

以相反磁化率的贵金属共溅射膜替代碳基或导电聚合物，解决高场MRI兼容性与高导电性难以兼得的矛盾，兼具电学记录与光刺激功能。

章元 · Le, Song · Aiping, Wang · Zhan, Gege · Zhang, Xiao Yong · 张利华 · 甘中学 · Kang, Xiaoyang

Sensors and Actuators, A: Physical 2025

技术优势

MRI几乎无伪影

通过共溅射Au-Pt贵金属膜，利用相反磁化率抵消磁化干扰，在11.7 T超高场下仍能保持图像清晰。

电极密度最高

高导电金属膜允许更细的线宽和更密的排布，实现了同类神经接口中最高的电极集成密度。

兼具光刺激功能

该接口不仅是电学记录与刺激通道，还能用于光刺激，支持多模态神经调控。

应用场景

• 多模态神经记录：同步记录电生理信号与进行光刺激调控，实现多模态神经活动联合观察。
• 柔性神经电极：使用高导电柔性金属膜，贴合脑组织并实现高密度电学记录与刺激。
• 脑机接口：提供高密度电极和低伪影特性，提升脑机接口信号质量与可靠性。
• MRI兼容传感器：在11.7T MRI下保持性能且几乎无伪影，适用于高场磁共振环境中的传感器。