光引发PPy-SEI硅负极

500圈容量保持

以光引发聚吡咯涂层引导原位生成混合SEI膜，在硅颗粒表面构建高稳定性界面，实现长效锂存储。

Xu, Zeyu · 邵海波 · 刘迎春 · 王建明

Small 2025

技术优势

2 A g⁻¹下500次循环后可逆容量1044.7 mAh g⁻¹

光引发hSEI前驱体厚度更均匀

光引发hSEI前驱体与内部颗粒相互作用更强

光引发hSEI前驱体机械强度更高