IGCT门极驱动管理IC

单IC替代分立驱动

将三个独立高压侧电源整合为单一多路复用拓扑,在保证100%占空比导通的同时大幅缩减组件数量。

Chen, Shiping · Zhanqing, Yu · Jiaxu, Shi · 陈政宇 · Qu, Lu · 吴锦鹏 · 曾嵘

High Voltage 2025

参数信息

占空比
100 %
独立高侧电源数量
1

技术优势

组件数量大幅减少

将三个独立高侧电源合并为单一多路复用拓扑,显著降低电路复杂度和元件数量。

支持100%占空比连续导通

控制浮动功率管同步导通,允许高侧开关保持完全导通而无需周期性关断,适用于需要持续导通的场合。

提升系统可靠性

采用单片集成替代分立元件方案,减少焊点和互连故障点,提高整体可靠性。

应用场景