荧光量子产率提升4倍
通过生长CdS冠层钝化CdSe纳米片的侧面缺陷，显著提升其光学性能。
陈锐 · 贺廷超
Nanoscale 2023
生长 CdS 冠层后，光致发光量子产率提升 4 倍，表明侧表面缺陷被有效钝化。
低温下低能/高能发射强度比的变化证实辐射复合中心主要位于侧表面，为定向钝化提供靶点。
配体交换实验证实非辐射复合中心同样位于侧表面，可通过表面修饰调控。