CdSe/CdS核冠纳米片

荧光量子产率提升4倍

通过生长CdS冠层钝化CdSe纳米片的侧面缺陷，显著提升其光学性能。

陈锐 · 贺廷超

Nanoscale 2023

具体参数

光致发光量子产率提升倍数

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技术优势

量子产率翻两番

生长 CdS 冠层后，光致发光量子产率提升 4 倍，表明侧表面缺陷被有效钝化。

辐射复合位点确认

低温下低能/高能发射强度比的变化证实辐射复合中心主要位于侧表面，为定向钝化提供靶点。

非辐射复合可控

配体交换实验证实非辐射复合中心同样位于侧表面，可通过表面修饰调控。

应用场景

• 量子点发光二极管：高荧光量子产率提高 LED 外量子效率，减少非辐射损失。
• 电致发光器件：侧表面钝化提升发光效率，改善器件亮度与寿命。
• 胶体纳米材料：提供理解纳米片表面缺陷分布的模型体系，指导胶体合成。