低暗电流高探测率
通过原位氧化形成TiO₂界面层并辅以盐酸质子化处理，同时抑制暗电流并提升环境稳定性。
Zhifang, Liu · Li, Mingjie · 孙翊淋 · Wang, Huaipeng · Chen, Hongwu · Tian, Yulan · 王涵 · Ding Y. · Zhiming, Chen
Nano Research 2023
原位氧化形成的TiO₂中间层优化了MXene与Si之间的界面性质，减少了界面表面态，因此暗电流被抑制，比探测率提高。
MXene对块体Si基底的光吸收增强，使所制备器件在近红外区域的光响应增强。
HCl处理减小了MXene的层间距，带来更好的导电性和环境稳定性，并经实验和理论双重证实。