NiFc-MOF纳米片

低过电位析氧

在金属基底上原位生长的MOF纳米片,具备动态结构重构能力,显著提升析氧反应性能。

王晓 · 周伟 · Zhai, Shengliang · Xiaokang, Chen · 彭蒸 · 刘志 · 邓伟 · 吴昊 · Hao Wu (吴昊)

Angewandte Chemie - International Edition 2024

参数信息

析氧反应过电位
130 mV
稳定性
144 h

技术优势

原位生长

MOF与金属基底准晶格匹配,确保直接键合和结构稳固。

低过电位

仅需130 mV过电位即可达到10 mA cm⁻²,优于许多现有催化剂。

耐久

在析氧反应中可稳定运行144小时。

应用场景