高频电源封装模块

开关电感损耗齐降

集成Si LDMOSFET与空心电感协同优化，将高频下的开关与电感损耗同时压低至输出功率的10%以内。

Wang, Yinyu · 张德胜 · 陆亮亮 · Baoqiang, Huang · 许浩然 · 闵闰 · 邹雪城

Applied Sciences (Switzerland) 2023

参数信息

开关损耗占比

<10 %

电感损耗占比

<10 %

效率预测误差

1~15 %

技术优势

开关损耗大降

通过尺寸与并联数量设计，集成Si LDMOSFET的功率损耗在宽频率和功率范围内被压低到输出功率的10%以内。

电感损耗可控

分析不同空心电感的品质因数，优化绕组结构以降低损耗，最终同样低于输出功率的10%。

效率边界可预测

基于优化结果计算损耗随频率和功率的变化，预测的效率边界与已发表文献一致，误差仅1~15%。

应用场景

• 高频电源模块：直接替换现有开关和电感元件，提升模块整体效率。
• 功率集成电路：利用优化设计方法降低片上功率器件的损耗。
• 高频功率转换：在宽频率范围内保持低损耗，支持高效功率转换。
• 射频功率放大：低损耗电感和开关有助于提高射频功放的整体效率。