耐辐射硅酮封装材料

γ辐照下性能稳定

该硅酮封装材料在γ辐照后交联密度、硬度和体积电阻率显著提升，同时保持低介电损耗，适用于航天电子功率调节器的绝缘灌封。

Cong, Hu · Zheng, Wei · 赵斌 · Yu, Fan · Hong, Li · Zheng, Kun · 王刚

Energies 2023

参数信息

交联密度变化

301.6 %

硬度变化

76.3 %

弹性模量变化

289.7 %

体积电阻率变化

396.1 %

介电常数变化

5.0 %

储能模量变化

589.8 %

断裂伸长率变化

-83.8 %

介电损耗因子变化

-57.8 %

技术优势

绝缘性大幅提升

γ辐照后体积电阻率提升396.1%，交联密度提升301.6%，显著降低漏电风险。

介电损耗降低

介电损耗因子降低57.8%，有利于高频功率转换效率。

界面放电电压稳定

封装界面键合状态不变，且介电常数增加使尖端场强略降，局部放电起始电压平均值略有提升。

应用场景

• 航天器电源系统：用于航天器电源模块的绝缘灌封，耐辐射环境。
• 航天电子封装：为航天电子器件提供耐辐射的封装保护。
• 功率模块绝缘：替代常规绝缘材料，提升功率模块绝缘可靠性。
• 耐辐射柔性器件：可作为耐辐射柔性器件的基础封装材料。