t-Se/ZnS异质结光电电极

响应率高4.4倍

通过在Se与基底之间引入ZnS层，利用界面内建电场抑制电子向基底转移，使更多光生电子参与电极/电解液界面的电荷转移，从而大幅提升自供电紫外-可见光电探测性能。

Yuan, Zhang · Junxin, Zhou · Shao, Zhitao · Jiaming, Liu · Nana, Zhang · Ruyu, Sun · 胡平安 · 冯伟

Nano Materials Science 2025

具体参数

响应度

{'zh': '155.48', 'en': '155.48'} mA/W

响应时间

{'zh': '5/50', 'en': '5/50'} ms

技术优势

响应度提升4.4倍

ZnS层与FTO基底之间的内建电场抑制光生电子注入基底，使更多电子参与t-Se/电解液界面的电荷转移。

载流子分离效率提高

t-Se/ZnS异质结促进光生载流子分离，进一步增强了光电响应。

快速响应

器件响应时间为5/50 ms，适合快速光信号检测。

稳定性良好

器件表现出良好的稳定性，有利于长期运行。

应用场景

• 自供电光电探测器：无需外部电源即可检测紫外-可见光信号，降低系统功耗。
• 紫外-可见光探测：对紫外至可见光均有响应，适用于宽光谱探测。
• 光电化学传感器：利用光电化学机制，将光信号转换为电信号进行检测。