范德瓦尔斯间隙MoS₂浮栅存储器

21天稳定运行

在隧穿氧化层与沟道间引入范德瓦尔斯间隙，实现超低漏电和鲁棒保持，可用于存储内逻辑运算。

Niu, Wencheng · 邹旭明 · 汤琳 · Bu, Tong · Zhang, Sen · 江贝 · Dang, Mengli · Hong, Xitong · 马超 · He, Penghui · 周鹏 · 刘兴强 · Lei, Liao

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

漏电流

0.1 fA µm⁻¹

循环耐久

>1000 次

技术优势

21天后稳定运行

保持时间>10⁵ s

开关比10⁷