4H-SiC 单光子探测器

室温探测266 nm

采用斜面台面结构和优化的层厚设计，配合有源淬灭电路显著抑制后脉冲，在室温下实现紫外单光子探测，适用于臭氧激光雷达等紫外应用。

Xian-Song, Zhao · Yu, Chao · Wang, Chong · Tianyi, Li · Bo, Liu · 陆海 · 张荣 · Xiankang, Dou · 张军 · 潘建伟

Applied Physics Letters 2024

参数信息

光子探测效率

16.6 %

暗计数率

138 kcps

最大计数率

13 Mcps

后脉冲概率

2.7 %

淬灭时间

1.03 ns

技术优势

室温可用

无需制冷即可工作，降低了系统复杂度和成本。

计数率高达 13 Mcps

有源淬灭电路将淬灭时间缩短至 1.03 ns，显著提高了最大计数率，适合高光子通量场景。

后脉冲概率 2.7%

低后脉冲概率减少误计数，提高时间分辨测量的准确性。

应用场景

• 激光雷达：用作臭氧差分吸收激光雷达的探测器，实现 1-3.5 km 高度臭氧浓度测量。
• 紫外探测：在 266 nm 实现高效单光子探测，替代传统紫外探测器。