压电光催化抛光液

粗糙度0.18 nm

用压电场抑制光生载流子复合，以更低成本实现反应烧结碳化硅表面的原子级平坦化。

Xingwang, Xu · Jiayi, Liu · 林彬 · 隋天一 · Jinming, Li · Lv, Bingrui · Zhao, Pengcheng · Hetian, Hou · Cong, Chen · Hualong, Zhang · Yuhao, Zhang · Wei, Jinhua · Haoji, Wang · Tang, Mingqiang

Journal of Environmental Chemical Engineering 2026

参数信息

表面氧含量提升

11.77 %

表面硬度降低

10.45 GPa

抛光表面粗糙度

0.18 nm

成本与能耗降低

50 %

技术优势

载流子复合少了

抛光压力与剪切力在t-BaTiO₃中诱导内建电场，使光生电子和空穴定向分离，氧化活性得以保持，表面氧含量提高11.77%。

表面软了

压电-光催化氧化使RS-SiC表面硬度降低10.45 GPa，材料更容易被磨粒去除，因而能获得原子级平坦表面。

花钱少了

不需要额外的光电、超声等多能场设备，仅借助抛光机自身应力的压电势就能达到效果，使成本与能耗均降低50%。

应用场景

• 碳化硅衬底加工：直接在现有CMP设备中替换抛光液，即可获得原子级平坦的SiC晶圆表面。
• 功率半导体器件制造：为功率器件提供低损伤、低粗糙度的SiC基片，降低界面缺陷密度。
• 超精密抛光：0.18 nm的表面粗糙度满足超精密抛光的严苛要求，且不依赖高能耗辅助能场。
• 高性能陶瓷部件：对碳化硅等硬脆陶瓷实现高效无损伤抛光，提升部件表面完整性。