纳米多孔聚硅氧烷

击穿强度提升7.6倍

以纳米孔结构抑制电子雪崩，在CO₂气氛下击穿强度较纯气隙提升761%，且介电常数低至1.63。

Sima, Wenxia · Xiaoxiao, Chen · Sun, Potao · 袁涛 · 杨鸣 · Zhaoping, Li · Tang, Xinyu

Journal of Colloid and Interface Science 2024

具体参数

击穿强度提升

{'zh': '761.01', 'en': '761.01'} %

介电常数

{'zh': '1.63', 'en': '1.63'}

介电损耗

{'zh': '0.014', 'en': '0.014'}

技术优势

击穿强度大幅提升

纳米孔结构限制电子雪崩发展，在CO₂气氛下击穿强度较纯气隙提升761.01%。

低介电常数

介电常数仅1.63，可降低信号延迟和串扰，适用于高频高速应用。

低介电损耗

介电损耗仅0.014，能量耗散小，有利于提高设备效率和稳定性。

环保可降解

采用生物质原料制备聚硅氧烷材料，可减少对化石资源的依赖，且具有高热稳定性和疏水性。

应用场景

• 海上风电绝缘：轻质绝缘材料替代传统油纸绝缘，降低设备重量。
• 高压电气设备：高击穿强度允许更薄绝缘层，实现设备小型化。
• 环保绝缘材料：生物基材料替代合成聚合物，减少环境负担。
• 低介电常数介质：低介电常数降低信号延迟，适用于高频电路。