异步轧制电解铜箔

蚀刻速率降19.6%

通过晶界工程将三维晶界网络转为二维平面构型并提高(001)取向占比，同时降低表面粗糙度，实现耐蚀性提升。

Chen, Jingqi · Sheng, Yang · Zhao, Wei · 白振华 · 李学通 · 张洪军 · Zhenyu, Niu · 白凤梅 · 国成 · Yu, Hai Liang

Journal of Alloys and Compounds 2025

参数信息

蚀刻速率降幅

19.6 %

晶粒尺寸

37.6 μm

<001>取向晶粒占比

61.1 %

技术优势

蚀刻更慢更可控

晶界网络从三维转为二维平面构型，减少了腐蚀活性路径；<001>取向晶粒因原子密排度高而形成优先钝化层，使蚀刻速率降低19.6%。

表面更平整

异步轧制显著降低铜箔表面粗糙度，有利于高频信号传输和后续蚀刻均匀性。

耐蚀性增强

腐蚀电流密度降低，电荷转移电阻增大，蚀刻速率下降，整体耐蚀性优于电沉积铜箔。

应用场景

• 5G柔性印刷电路：用低蚀刻速率铜箔刻出更精细的高频线路，减少侧蚀提升信号完整性。
• PCB蚀刻工艺：蚀刻速率降低使线宽控制更精确，适合高密度互连板制造。
• 铜箔晶界工程：晶界工程把三维网络变二维平面并提高(001)织构，用于设计耐蚀铜箔。