大面积MoTe₂/Si光电二极管阵列

高速近红外成像

通过异质外延在硅晶圆上直接生长MoTe₂薄膜,制备的异质结光电二极管阵列均匀性优异且良率100%,响应速度低于4毫秒,适合与硅读出电路单片集成。

Wang, Die · Wang, Xinyu · Pan, Yu · Bian, Jihong · Kang, Liu · Jing, Guo · Lin, Jiamu · Zibo, Sun · Gou, Saifei · Sheng, Chuming · Dong, Xiangqi · Hesheng, Su · Yuxuan, Zhu · Qicheng, Sun · Xu, Zihan · 郭爱英 · 邵雷 · 陈洪雷 · 包文中

Advanced Optical Materials 2024

参数信息

器件良率
100 %
dark current
3 nA
近红外光下响应度
521.1 mA W⁻¹
降时间
<4 ms