纳米图案化Zn:NiOₓ空穴传输层

高导电界面低复合

一维纳米结构结合Zn掺杂，同步提升空穴传输层导电性和空穴迁移率，降低界面缺陷密度。

Yin, Xin · 宋立新 · 杜平凡 · Xu, Bingang · 熊杰

Chemical Engineering Journal 2023

参数信息

冠军效率

20 %

开路电压

1.14 V

技术优势

导电性大幅提高

一维纳米结构和Zn掺杂共同提高了薄膜的电导率，有利于空穴快速传输。

界面缺陷更少

Zn掺杂降低了HTM/钙钛矿界面的陷阱态密度，减少了非辐射复合损失。

开路电压升高

得益于界面复合减少，器件的开路电压提升至1.14 V。

应用场景

• 钙钛矿太阳能电池：作为空穴传输层提升反式电池效率，降低界面复合。
• 空穴传输材料：替代传统NiOx纳米晶，解决电导率低和缺陷复合问题。
• 氧化物电极：提供高导电、低缺陷的氧化物电极界面。
• 柔性光电器件：一维纳米结构或可兼容柔性基底，拓展柔性光电器件应用。