BFO/STO超晶格忆阻器

突触可塑性显著

相比单层BFO，剩余极化提高约200%，阻变性能大幅增强，可用于信息存储与神经形态计算。

Yang, Zeou · 黄小忠 · Ze, Wang · Kai, Chen · Ma, Bingyang · Shang, Hailong · 胡海龙 · 岳建岭

Journal of Alloys and Compounds 2024

具体参数

剩余极化提高

约200 %

耐久性

1000 次

手写数字识别准确率

87.46 %

技术优势

保持时间10000秒