CdSe/PbI₂异质结光电探测器

高响应度宽光谱

这种1D CdSe纳米带/2D PbI₂薄片异质结器件在柔性基底上实现了超高响应度和宽光谱探测，同时具有优异的机械稳定性。

Nawaz, Muhammad Zubair · Xu, Liu · Zhou, Xin · Javed, Muhammad · 王佳乐 · 伍滨和 · Wang C.

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

具体参数

响应度

{'zh': '10^6', 'en': '10^6'} A/W

技术优势

响应度提升数个量级

CdSe/PbI₂异质结内建电场使光生载流子快速分离并分别被电极收集，响应度高达约10⁶ A/W，是目前同类混合异质结光电探测器中的最高值之一。

暗电流大幅衰减

异质结结构有效阻断暗态下载流子输运，暗电流显著降低，从而提升探测器的信噪比和比探测率。

柔性基底上性能稳定

器件在聚酰亚胺胶带基底上展现出优异的耐折性、机械弯曲稳定性和长期环境稳定性，适合可穿戴和柔性光电器件集成。

应用场景

• 柔性光电器件：可在柔性基底上直接构筑高性能光电探测单元，用于可弯曲光电器件。
• 光电探测：高响应度和低暗电流使其适用于微弱光信号的高灵敏检测。
• 宽光谱成像：宽光谱响应与高增益特性可提升成像系统在宽波段内的信噪比。
• 可穿戴传感：柔性基底上的耐折性和机械稳定性使其可集成于穿戴设备进行连续光监测。