Re/Al双层超导膜

临界场增强50%

薄Re底层大幅提升Al层的磁场耐受性，保留Al的化学与冶金优势。

Womack, F. N. · Ortega I.M. · Karna, Sunil K. · Graf, David E. · Adams, Philip W.

Materials Research Express 2025

参数信息

临界场增强

50 %

临界场倍数

10

技术优势

临界场提升50%

1.5 nm Al覆盖时，垂直临界场比3 nm Re膜高出50%，远超Al膜本身。

高Al厚度下优势仍在

即使Al厚度增加，临界场仍比同等厚度Al膜高一个数量级以上。

应用场景

• 超导量子电路：在需要磁场屏蔽或外磁场的电路中使用Al，同时保持其易加工性。
• 拓扑量子比特：为拓扑量子比特提供高磁场兼容的Al超导电极。
• 超导电感器：用于超导电感器，使Al在强磁场下维持高动态电感。
• 低温电子器件：拓展低温电子器件中Al的磁场工作范围。