p-GaN栅HEMT

明确失效边界

通过系统重复短路应力测试揭示器件退化机理，为评估p-GaN栅HEMT在功率变换中的可靠性提供直接依据。

杨宁 · Chaowu, Pan · 邬震 · Bai, Pengxiang · Chen, Kuangli · Zhu, Liyang · 周春华 · 张波 · 周琦

IEEE Transactions on Power Electronics 2023

参数信息

Vgs
6 V

技术优势

揭示了退化机理

通过器件表征与仿真确定可逆退化源于p-GaN栅区陷阱填充，不可逆退化源于热电子诱导缺陷及钝化/III-N界面电子俘获。

给出缓解建议

基于退化机理，文章提出了针对重复短路退化的缓解指南，可用于指导器件结构或电路设计以提高鲁棒性。

应用场景