Zn-Sb-O相压敏电阻

低温制备高非线性

低温掺杂Zn-Sb-O相避免氧空位减少，提升界面态密度与势垒高度。

Wei, Yanliang · 王凯 · Xuefang, Chen · Xu, Tao · Ruiqing, Chu · 李国荣 · 徐志军

Ceramics International 2024

具体参数

击穿场强（Zn–Sb–O掺杂）

{'zh': '440.24', 'en': '440.24'} V/mm

非线性系数（Zn–Sb–O掺杂）

{'zh': '64', 'en': '64'}

技术优势

击穿场强更低

Zn–Sb–O相掺杂将击穿场强从605.36 V/mm降至440.24 V/mm，使器件更易导通，适用于较低电压等级的保护场景。

非线性更高

Zn–Sb–O相掺杂获得非线性系数α=64，高于Sb2O3掺杂样品，且两者随掺杂量的变化趋势相似，表明该相可更有效提升电学均匀性。

避免氧空位损失

采用预合成的Zn–Sb–O相避免了Sb2O3与Bi2O3的直接反应，从而消除该反应对氧空位浓度的抑制作用，有利于形成界面态。

增强界面态

Zn–Sb–O掺杂有效提高吸附氧浓度，对界面态形成和势垒高度提升产生显著正向作用，从而改善压敏电阻的晶界特性。

应用场景

• 电涌保护器：用于浪涌抑制，以较低击穿场强快速泄放瞬态过电压。
• 电力系统过压保护：保护电力设备免受过压冲击，兼顾高非线性和低残压。
• 高压压敏材料：作为高压压敏材料，通过Zn–Sb–O掺杂调控击穿场强与非线性。