6.5kV SiC MOSFET封装

局放起始电压9.48 kV

通过优化铜间距与偏移抑制三结合点局部放电，实现紧凑封装的高绝缘裕度，适用于高空低气压环境。

Li, Wenyuan · Zhiwei, Wang · 李学宝 · Hao, Li · Decai, Liu · Zhang, Wenting · Yu, Liang · Zhibin, Zhao · Xu, Zhang · Jin, Rui

Materials Science in Semiconductor Processing 2026

参数信息

局放起始电压（大气压）
9.48 kV
局放起始电压（0.5 bar）
7.23 kV
反向偏置耐受时长
1000 h
反向偏置电压
3600 V

技术优势

局放电压提高60%以上

通过增大铜间距并优化铜偏移，使大气压下的局放起始电压从约5.9kV提升至9.48kV。

高海拔下绝缘可靠性高

封装在 0.5 气压下局放起始电压仍达 7.23kV，并在 4300 米海拔下承受 3600V 反向偏置超过 1000 小时无失效。

绝缘裕度远超现有器件

与商用 4.7kV/2A 参考器件相比，该封装提供了显著更大的绝缘裕度，更适合 6.5kV 级应用。

应用场景