高取向WS₂单层

晶圆级高迁移率

通过模板生长在邻晶面蓝宝石晶圆上实现大面积、高取向的WS₂单层，为后硅时代微电子提供高性能沟道材料。

Pei, Xudong · Tang, Jiachen · Li, Shuaixing · Yuan, Li · Wan, Changjin · Deng, Yu · 施毅 · 郝玉峰 · 黎松林

Advanced Materials 2024

具体参数

室温场效应迁移率平均

62 cm²V⁻¹s⁻¹

场效应迁移率平均

180 cm²V⁻¹s⁻¹

衬底上室温迁移率

94 cm²V⁻¹s⁻¹

迁移率

473 cm²V⁻¹s⁻¹

饱和电流密度

675 µA µm⁻¹