诱导Sb₂Se₃择优取向
通过氟钝化硫空位并暴露非极性面，引导Sb₂Se₃沿高迁移率方向生长，同时大幅降低缺陷密度。
Shen, Luyang · Qin, Deyang · Nie, Er · 陈少强 · Tao J.
Advanced Functional Materials 2026
氟离子有效钝化CdS中的硫空位，使俘获截面从10⁻¹⁷降至10⁻²⁰，载流子复合损失大幅减少。
F掺杂使CdS暴露非极性(100)面，引导Sb₂Se₃沿高迁移率方向生长，提升载流子传输。
F掺杂优化Sb₂Se₃生长动力学，使Se/Sb比从1.98降至1.63，减少深能级缺陷。
器件效率达到9.30%，较未掺杂器件相对提升18%，展现出界面工程的实际增益。