InAs量子点

片上单光子路由

将InAs量子点与低损耗可重构钽酸锂波导异质集成，实现了低温下对量子点顺序发射单光子的确定性片上路由。

Kaili, Xiong · Ruan, Ziliang · 陈彬 · Wang, Zhanling · Wang, Jiawei · 喻颖 · Wei-Wei, Wu · 陈平形 · 刘进 · Zhang Gong · Chen, Yan · 江天

Nature Communications 2026

参数信息

波导损耗

0.30 dB/cm

波导损耗标准差

0.04 dB/cm

技术优势

低损耗波导

LTOI 波导损耗为 0.30 ± 0.04 dB/cm，保证单光子在片上传输时的高效率。

耦合容差大

通过锥形 GaAs 波导与反锥形 LTOI 波导的直接对接耦合，实现了鲁棒且对对准误差不敏感的互连。

应用场景

• 量子光子集成：将单光子源与低损耗光子线路集成，推动全集成量子处理器发展。
• 量子通信：在芯片上实现单光子确定性路由，可用于量子网络中信息的操控与分发。
• 片上光路由：通过电光调制实现高速片上单光子路由，替代传统分立光学元件。