并五苯纳米晶体管

免抗蚀剂高分辨

用热扫描探针直接图案化可溶性前驱体，避开光刻抗蚀剂与化学腐蚀，把并五苯晶体管的沟道做小并保持电学性能。

Kaimin, Luo · 李隽 · Yanshu, Gu · 马天磊 · Zhang, Jingyuan · Zhu, Zhaohui · Tang, Heng · 许鹏程 · Jia, Hao · Tu, Min · 李昕欣

Discover Nano 2026

参数信息

最小半高宽

200 nm

技术优势

不用光刻胶

前驱体直接热转化成本征半导体，没有光刻胶、显影液或刻蚀液的化学污染。

免掩模版

热探针直接写入图案，不需要预制的掩模版，改图形只需改探针路径。

沟道能到 200 nm

优化探针加载和扫描速度后，并五苯纳米结构的最小半高宽只有 200 nm，为高密度集成留出空间。

直接出晶体管

图案化的并五苯直接集成到场效应晶体管里，电学功能正常，不需要转移或光刻步骤。

应用场景

• 柔性有机晶体管：直接图案化出有机半导体沟道，省掉光刻，提升器件密度。
• 高分辨图案化：热探针局域加热，把前驱体转成 200 nm 的半导体图形。
• 可穿戴电子：免光刻的图案化工艺对柔性基底友好，适合可穿戴集成。
• 电子皮肤：有机半导体图案可直接做敏感层，用于电子皮肤的有源矩阵。