HfNbTaTiZr高熵合金

纳米晶抗软化

通过局部化学有序调控,在纳米晶中抑制反Hall-Petch软化,同时保持应变硬化与失效抗力。

Wu, Yihan · Yan, Gaosheng · 吁鹏飞 · 锁要红 · 郁汶山 · 申胜平

International Journal of Plasticity 2026

技术优势

抑制反Hall-Petch软化

局部化学有序抑制了从Hall-Petch强化到反Hall-Petch软化的转变,使材料在纳米晶尺寸下仍能保持高强度。

改善应变硬化与抗失效

局部化学有序虽降低流变应力水平,但增强了应变硬化能力,并使材料在变形过程中更难失效。

预测纳米晶屈服强度

建立了理论模型,可描述尺寸依赖的屈服强度并估算临界晶粒尺寸,为纳米结构设计提供指导。

应用场景