插层MoS₂/CoFeB异质结

自旋混合电导骤增33倍

利用3d金属插层驱动的界面轨道杂化，在MoS₂与CoFeB之间形成低电阻欧姆接触，克服了二维材料异质结中常见的界面势垒导致的严重自旋损耗。

Jiaqiang, Liu · Liu, Bang · Lu, Qi · Zhao, Meng · Zha, Xi · Wang, Wenli · 董国华 · 赵一凡 · 王智广 · 郭志新 · 刘明

Applied Surface Science 2026

具体参数

自旋混合电导提升幅度

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技术优势

接触电阻骤降

插层诱导的界面轨道杂化使Mo的d轨道下移，形成低电阻欧姆接触，消除了TMDC/铁磁体界面的高势垒。

自旋效率狂增

自旋混合电导提升3300%，意味着同样电流能产生强得多的自旋流，或实现更低功耗的自旋注入。

应用场景

• 自旋电子器件：提供低电阻自旋注入界面，替代高损耗的常规TMDC/铁磁体接触。
• 磁性隧道结：可降低隧道结的串联电阻，提高磁电阻比值和自旋极化率。
• 自旋转移矩MRAM：更高效的自旋注入可降低STT-MRAM写入电流，改善功耗和可靠性。