InGaAs/GaN键合光电探测器

大失配异质集成

该探测器通过微转移印刷将InGaAs与GaN直接键合，突破了晶格失配限制，为光电器件开辟了新途径。

刘洋 · Li, Zhi · Atar, Fatih Bilge · Corbett, Brian M. · 汪莱

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

参数信息

响应度

0.5 A/W

技术优势

省掉外延匹配

利用范德华力直接键合InGaAs和GaN，避开了传统异质外延的晶格匹配要求。

1550 nm能探测

在光纤通信关键波长1550 nm处实现了0.5 A/W的高响应度。

工艺可通用

微转移印刷技术可推广到其他大晶格失配异质结器件，扩展半导体应用。

应用场景

• 红外探测：用于1550 nm红外信号的探测，适合光通信和遥感。
• 光电集成：将InGaAs与GaN集成，实现多功能光电器件的单片化。
• 半导体制造：用微转移印刷替代传统键合，简化异质集成工艺。