MoS₂各向异性突触晶体管

局域电子束掺杂

在二维MoS₂材料上通过局域电子束照射实现各向异性人工突触，无需使用各向异性衬底，即可模拟轴突多突触系统。

刘雷 · 高鹏 · 刘春森 · Shi, Tuo · Huang, Hao · 王春兰 · Han, He · Zijun, Chen · Chai, Yang · 王建禄 · 邹旭明 · 廖蕾 · Wang, Jingli · 周鹏

Advanced Science 2024

技术优势

导电率比值可调

通过控制电子束照射条件（如剂量、区域）调节各向异性导电率比值，满足不同突触权重需求。

无需各向异性衬底

利用电子束照射局部掺杂和诱发陷阱，在常见的各向同性MoS₂上即可实现各向异性突触，扩展了轴突多突触器件家族。

应用场景

• 神经形态计算：构建可变各向异性突触网络，执行多重神经形态计算任务。
• 人工突触器件：单个器件模拟轴突多突触，按方向并行传输信号。
• 类脑芯片：将各向异性突触集成到芯片，实现高效类脑信号处理。
• 二维材料晶体管：在MoS₂晶体管上加电子束照射，获得方向依赖的开关特性。