LTO缓冲层异质结

界面反铁磁耦合

通过LaTiO₃缓冲层在EuO/KTaO₃界面实现反铁磁耦合,为自旋电子器件提供新的界面工程途径。

Hui, Zhang · Qiao, Weiliang · Bai, He · Wu, Ning · Lu, Chen · Meng, Fanqi · Yang, Ma · 79510568 · Han, Furong · 杨怀文 · 张庆华 · Lin, Gu · 刘邦贵 · 陈沅沙 · 胡凤霞 · 韩伟 · 朱涛 · 沈保根 · 孙继荣 · 赵巍胜

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

缓冲层厚度
{'zh': '≤8', 'en': '~3.2'} uc

技术优势

在LTO缓冲的EuO/KTO异质结构中实现界面反铁磁耦合