GeS单层二维半导体

应变可调带隙

一种带隙可通过应变调节、光学各向异性的二维半导体材料,为高效异质结太阳能电池提供了新的光吸收层选择。

Mehmood, Safdar · 夏洋 · Qu, Furong · Weisen, Hu

Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2025

参数信息

带隙(未应变)
2.36 eV
带隙(a方向拉伸应变)
2.42 eV
带隙(a方向压缩应变)
2.25 eV
功率转换效率
6.70 %

技术优势

带隙连续可调

通过施加拉伸或压缩应变,带隙可在2.00–2.60 eV范围内连续调节,从而优化对太阳光谱的吸收。

光学各向异性

材料具有内在的光学各向异性,在不同方向上表现出不同的吸收特性,有利于提高光捕获效率。

模拟效率达6.70%

SCAPS 1D模拟表明,基于GeS的异质结太阳能电池可实现6.70%的功率转换效率,展示了其光伏应用潜力。

应用场景