双核萘二酰亚胺忆阻器

0.5 V 数模切换

分子尺度层状氧化还原位点实现了导电细丝的可控生长，使器件能在超低电压下可逆切换模拟与数字行为。

张程 · 赵春 · Lu, Huanjun · Chao, Li · 汪快兵 · 王小玮 · Yinxiao, Li · Sun, Fuqin · Lin-Lin, Liu · Wang, Yingyi · 康黎星 · Qian, Wenhu · 李阳 · 张珽

Advanced Materials 2026

参数信息

功耗

90 aJ µm⁻²

工作电压

0.5 V

良率

98 %

连接神经元最大减少比例

92 %

技术优势

电压只需 0.5 V

在 0.5 V 下即可实现模拟-数字行为切换，低于大多数已报道的有机忆阻器。

功耗低至 90 aJ µm⁻²

模拟突触行为时，能量消耗仅为 90 aJ µm⁻²，适合大规模集成。

良率高达 98%

器件良率达到 98%，保证了制备的可靠性和一致性。