增益26.1 dBi
利用体硅MEMS工艺和脊间隙波导馈电，在W波段实现高增益、低剖面和高成品率的大规模阵列。
Yu, Zhao · Luo, Hao · Tan, Wenhao · Zheng, Zhou · 赵国强 · Sun, Housjun
Electronics (Switzerland) 2023
采用高阶模式腔激励2×2缝隙基本单元，降低剖面高度，适合体硅MEMS工艺。
脊间隙波导馈电网络替代传统波导，避免体硅MEMS大阵列的结构脆弱问题。
矩形波导到脊间隙波导的垂直过渡设计，实现辐射单元与馈电网络的低损耗、低成本装配。