CrI3/CrBr3异质结

826 fs 磁序转变

一种光激发即可在亚皮秒内从反铁磁态转变为亚铁磁态的二维范德华异质结，为超快自旋电子器件提供瞬态磁态生成。

Jian, Yuan · Rouzhahong, Yilimiranmu · 陈翔 · 张晋 · 王彪 · 李华山

Journal of Physical Chemistry Letters 2026

参数信息

相变时间

826 fs

相变时间（高能态激发）

346 fs

EPC/SOC 强度增强倍数

3

技术优势

亚皮秒磁序转变

光激发后反铁磁态在 826 fs 内转变为亚铁磁态，为超快磁存储奠定基础。

转变速度可调

将电子激发到更高能态可使 EPC 和 SOC 强度增强 3 倍，转变时间缩短至 346 fs。

多稳定磁态

II 型自旋反平行异质结中光生电子弛豫可产生多个稳定磁态，为多态存储提供可能。

耦合机制清晰

弛豫路径由 EPC 与 SOC 竞争决定，为设计优化提供理论指导。

应用场景

• 超快自旋电子学：提供亚皮秒磁态切换，替代传统磁场或电流驱动方式。
• 非易失性存储器：利用多个稳定磁态实现多态非易失存储。
• 神经形态计算硬件：通过光控磁态转变模拟突触动态，构建神经元器件。
• 二维量子材料：二维范德华异质结中实现光调控量子磁态。