双配体CsPbI₃钙钛矿薄膜

弯曲下电导衰减近零

通过双配体界面调控,CsPbI₃薄膜在反复弯折后仍保持高电导率,区别于常规脆性钙钛矿。

Xie, Zi'ang · Xu, Wanjin · Xie, Xixi · 李艳萍 · 秦国刚 · Wanting · ORecord 科技单元 · Sun, Shuren

Journal of Materials Chemistry A 2020

参数信息

初始效率
13.91 %
10 000次弯折后效率
10.86 %
功率指数m1(传统阴极)
1.52
功率指数m1(新型阴极)
0.0076

技术优势

弯曲下电导几乎不降

优化的阴极(PEDOT:PSS:Li/ITO 20 nm)使归一化层电导f1(N)的衰减速率大幅减缓,且功率指数m1由1.52降至0.0076,意味着阴极电导衰减对效率损失的贡献几乎可以忽略。

20 000次弯折后效率仍有参照

在弯曲半径1.0 cm下,弯折20000次后,器件仍保持3.45%的效率,且通过模型可定量解析各层电导衰减的影响,为失效分析提供了明确工具。

应用场景