应变调控铁电
通过Sm掺杂在铋基氧化物薄膜中形成周期应变场，实现局域晶格畸变从4至22 pm的可调控制，为铁电性能优化提供原子级途径。
Tian, Gang · Chang, Liu · 利平 · 郑立梅 · 曾涑源 · Yuanwei, Sun
Small Methods 2026
Sm 原子在每个六层单元的第二和第五层择优占据，形成长程化学有序结构，避免随机掺杂可能引起的局部成分波动。
晶格畸变幅度从界面处的约 4 pm 逐渐增大到表面的 22 pm，这种梯度分布有利于释放薄膜应力并优化铁电性能。
PFM 测量显示蝴蝶形振幅曲线、近 180° 相位切换和可逆畴翻转，表明薄膜无需额外极化处理即具有典型铁电特性。