SiC MOSFET有源栅驱动器

耦合噪声最优抑制

针对桥臂结构中耦合噪声问题，该驱动器的参数优化算法能比传统方法实现更优的噪声尖峰抑制。

Hengyang, Liu · Kong, Wubing Bin · Long, Gen · Hangchuan, Lou · Xianglong, Wu · 李大伟 · 刘子锐 · Minghai, Dong · Zian, Zhao · Yixue, Wen

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

技术优势

抑制效果最优

与传统方法相比，所提算法将噪声尖峰抑制到最优值。

参数设计有据可依

算法为有源栅驱动参数设计提供了指导准则。

应用场景

• SiC MOSFET驱动：用优化算法选定栅极驱动参数，直接降低耦合噪声尖峰。
• 功率变换器：替换现有驱动电路，抑制桥臂噪声，提升变换器可靠性。
• 电机驱动：优化驱动参数，减少电机驱动中的电磁干扰问题。