Mg掺杂ZnMgO包覆ZnO电子传输层

缺陷钝化提效

Mg掺杂结合ZnMgO壳层包覆，协同钝化ZnO纳米颗粒表面氧缺陷并调节能级，有效抑制激子猝灭，提升红色InP基QLED性能。

Ning, Meijing · Ke, Zhao · Lijia, Zhao · 曹盛 · 赵家龙 · 高永慧 · 袁曦

Materials Research Bulletin 2024

具体参数

外量子效率

{'zh': '9.0', 'en': '9.0'} %

最大电流效率

{'zh': '11.5', 'en': '11.5'} cd A⁻¹

技术优势

钝化表面氧缺陷

ZnMgO壳层包覆进一步钝化表面氧缺陷，减少非辐射复合中心，提高激子利用率。

抑制激子猝灭

Mg掺杂减轻了由电荷转移引起的激子发光猝灭，使更多激子以辐射复合形式发光。

效率显著提升

采用ZMO@ZnMgO电子传输层的QLED外量子效率达9.0%，最大电流效率11.5 cd A⁻¹。

应用场景

• 量子点发光二极管：可替代传统ZnO ETL，提高红InP QLED效率。
• 溶液加工显示器件：纳米颗粒分散液可直接用于溶液法成膜。
• 电子传输材料：提供低缺陷、能级匹配的电子注入界面。
• 柔性显示：溶液法兼容柔性基底，适合柔性显示。