非易失CMOS忆阻器电路

即插即用

用标准CMOS工艺制备,相比纳米材料忆阻器,成本低、易于量产,可推动忆阻器的实际应用。

邓全利 · 王春华 · 孙晶茹 · Sun, Yichuang · 江金光 · 蔺海荣 · Deng, Zekun

IEEE Transactions on Industrial Informatics 2023

参数信息

工艺节点
180 nm

技术优势

成本大幅下降

采用标准CMOS工艺制造,避免了纳米材料的低良率和高成本问题。

可批量制造

无需特殊纳米材料,可直接利用成熟的CMOS代工服务进行大规模生产。

非易失特性

断电后仍能保持忆阻状态,扩展了忆阻器模拟器的应用范围。

应用场景