宽带宽高调制深度
采用Cs0.25MA0.75PbI2Br/PEDOT:PSS/MAPbI3结构,通过准II型异质结促进载流子分离,同时实现宽调制带宽和大调制深度。
Sun, Binchao · 贺训军 · Lu, Guangjun · 耿照新 · 张颖
Optics and Laser Technology 2025
在0.48 THz、1500 mW/cm²泵浦下实现82%的调制深度,归因于PEDOT:PSS形成的准II型异质结促进了载流子分离。
在0.2–1 THz的频率范围内均实现对太赫兹波的有效调制,覆盖整个测试频段。
顶层的Cs0.25MA0.75PbI2Br薄膜保护MAPbI3免受潮解并抑制相分离,从而提升器件稳定性。