超轻宽频强吸波
通过g-C₃N₄半导体特性与石墨状结构调节阻抗匹配,显著增强极化损耗,实现薄厚度下的优异吸波性能。
Su, Qiang · He, Yunfei · 刘冬冬 · 夏龙 · 黄小萧 · Zhong, Bo
Journal of Colloid and Interface Science 2023
在5 wt%填充量、1.6 mm厚度下,最小反射损耗达-49.59 dB