超宽带平面黑体

3–14 µm 发射率 >0.98

超快激光直接在掺杂硅表面构筑微纳层级锥阵列，同时引入纳米缺陷能级工程，实现无需涂层、耐高温的超宽带高发射表面。

天添 · 周潜 · 倪凯 · 刘学青 · Hong-Bo, Sun

Advanced Materials 2025

参数信息

发射率

0.98

耐受温度

900 °C

技术优势

发射率超高

3–14 µm超宽带光谱范围内发射率超过0.98，接近理想黑体。

耐高温

激光处理表面在超过900 °C的高温测试中保持稳定，性能不退化。

不脱落

由于不涉及材料粘附或注入，表面在重复机械剥离测试中保持完好，解决了传统黑涂层的附着力问题。

快速直写

超快激光直接照射即可快速写入均匀平面黑体，无需复杂工艺。

应用场景

• 黑体辐射源：用作宽带红外辐射源，无需涂层，耐高温。
• 红外定标：作为高发射率定标靶，3–14 µm内发射率均匀。
• 高辐射热控涂层：替代传统高发射率涂层，避免脱落问题。
• 红外隐身：利用高发射率调控红外辐射特征，实现隐身效果。
• 高发射率涂层：提供无涂层的高发射率表面，附着力强。