镓掺杂硅浆

免硼光衰 掺杂更稳

一种通过紫外激光辅助的镓掺杂硅浆，可在选择性发射极中实现更深、更稳定的掺杂，解决硼掺杂的光致衰减问题。

Ziye, Chen · Long, Yan · Dacheng, Hao · 周海 · 刘双宇 · Yao, Zhirong · Chen, Rulong · Yang, Yang · Qian, Feng · 沈鸿烈 · Hong, Juan

Solar Energy Materials and Solar Cells 2026

参数信息

镓原子最大掺杂浓度

3.31×10¹⁹ cm⁻³

最高结深

0.7 μm

平均光电转换效率

25.56 %

技术优势

不会光衰

镓-氧键合力明显弱于硼-氧键，从根源上避免光致衰减，而不是通过再生处理来缓解。

接触层不衰减

紫外激光辅助扩散解决了接触层掺杂衰减问题，提高掺杂稳定性。

效率高0.15%

在优化后的TOPCon生产线上，采用镓掺杂选择性发射极结构的平均效率达25.56%，较标准产线提升0.15%。

应用场景

• TOPCon太阳能电池：在产线上直接提升效率并消除光衰。
• 选择性发射极：用镓替代硼形成稳定选择性发射极。
• 激光掺杂：紫外激光辅助实现高浓度深掺杂。
• 硅基光伏：避免硼氧复合，提高电池长期可靠性。